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如何区分TTL型集成电路和CMOS型集成电路

区分TTL型集成电路和CMOS型集成电路可从三个方面加以区分:1)从型号上区分:根据国内、外集成电路的命名方法,型号上标有CC4069、CD4011、HD14069等型号的为CMOS集成电路,型号上标有CT033、74xx的为TTL型集成电路。2)

分类:基础电子 时间:2008-04-11 阅读:3447 关键词:如何区分TTL型集成电路和CMOS型集成电路CD4011HD14069CC4069

TTL数字集成电路与CMOS数字集成电路的输出、输入高低电平有何区别

在使用TTL或CMOS数字集成电路时,只有对它们的输入、输出高、低电平值了解清楚,在应用数字集成电路时才能保证得到预期的效果。这里以TTL型数字集成电路74LS04M(反相器)与CMOS型数字集成电路CD4069(反相器)为例,说...

分类:基础电子 时间:2008-04-11 阅读:2902 关键词:TTL数字集成电路与CMOS数字集成电路的输出、输入高低电平有何区别CD406974LS04M

摄像头CCD和CMOS两种感光器件的介绍

CCD(电荷藕合器件)是应用在摄影、摄像方面的高端技术器件,目前CCD器件的尺寸多为1/5in(英寸)或1/4in,在相同的分辨率下,宜选择尺寸较大的为好。CCD被绝大多数数码相机和数码摄像机所采用,只有比较高端的个人摄像...

分类:基础电子 时间:2008-04-11 阅读:2540 关键词:摄像头CCD和CMOS两种感光器件的介绍

Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A

Infineon开始量产全球首款RF开关,其硅晶片采用CMOS工艺制造,可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能,实现了技术上的突破。到目前为止,为达到GaAs开关的性能,基于CMOS的RF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝...

分类:其它 时间:2008-02-19 阅读:2268 关键词:Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A

赛普拉斯CMOS图像传感器将胶片和数字视频结合用于电影拍摄

赛普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEXD-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super35毫米胶片光圈的尺寸相同,这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时

分类:传感技术 时间:2007-12-27 阅读:2309 关键词:赛普拉斯CMOS图像传感器将胶片和数字视频结合用于电影拍摄

CMOS模拟开关的选择与应用

一、前言:早期的模拟开关大多工作于±20V的电源电压,导通电阻为几百欧姆,主要用于模拟信号与数字控制的接口,近几年,集成模拟开关的性能有了很大的提高,它们可工作在非常低的电源电压,具有较低的导通电阻、微...

分类:其它 时间:2007-12-24 阅读:3695 关键词:CMOS模拟开关的选择与应用MAX4514MAX4502MAX4501MAX4529MAX4601MAX4515

Verilog HDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计

摘 要:介绍一种用于卫星姿态测量的CMOS图像敏感器--STAR250的时序驱动信号,并使用Verilog HDL语言设计驱动时序电路。经布线、仿真、测试后验证了驱动信号的正确性。   关键词:Verilog HDL、STAR250、CMOS、图像...

分类:EDA/PLD/PLC 时间:2007-12-24 阅读:2156 关键词:Verilog HDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计STAR250

基于0.13μm CMOS高增益Telescopic放大器

近年来,软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样,但是由于通常射频频率(GHz频段)过高,技术上...

分类:模拟技术 时间:2007-12-22 阅读:1913 关键词:基于0.13μm CMOS高增益Telescopic放大器

Melexis新增一款CMOS微功耗霍尔效应开关MLX90248

Melexis宣布正式推出MLX90248——Omnipolar(全极性)微功耗霍尔效应开关家族的一位新成员。MLX90248是采用CMOS技术构造的功耗极微的不接触式磁性开关。典型的应用包括翻盖、滑盖和折叠式手机,以及PDA和其它个人娱乐...

分类:其它 时间:2007-12-21 阅读:1770 关键词:Melexis新增一款CMOS微功耗霍尔效应开关MLX90248MLX90248MLX90248ESE

安森美半导体推出极高双输出CMOS低压降稳压器

的电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出极高的NCP590系列双输出CMOS低压降(LDO)稳压器。该系列器件采用超小、低高度...

分类:电源技术 时间:2007-12-20 阅读:1408 关键词:安森美半导体推出极高精度双输出CMOS低压降稳压器

一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

引 言   带隙基准是所有基准电压中的一种,由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点,所以被广泛地应用于高的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其...

分类:其它 时间:2007-12-19 阅读:3851 关键词:一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

TI推出CMOS电压基准产品系列

中华电子采购网讯(8月17日)日前,德州仪器(TI)宣布推出支持大输出电流的3ppm/℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级,先前只有成本高昂的掩埋...

分类:电源技术 时间:2007-12-18 阅读:1570 关键词:TI推出CMOS电压基准产品系列REF5025REF5030

高性能CMOS采样保持电路的设计

0 引言  采样/保持电路是模数转换器的重要组成部分,它的性能决定着整个A/D转换器的性能。随着科学技术的发展,系统对A/D转换器的速度和要求越来越高,因此,设计一个高性能的采样/保持电路就显得尤为重要。 ...

分类:电源技术 时间:2007-12-18 阅读:4411 关键词:高性能CMOS采样保持电路的设计

意法半导体开发手机用VGA规格小型CMOS相机模块

意法半导体公司(STMicroelectronics)开发出了面向手机、PDA等便携信息终端等的小型CMOS相机模块“VS6524”。新型CMOS相机模块采用0.18μm的CMOS图像处理工艺规格生产。光学部分尺寸为1/6吋,像素单元尺寸为3.6μ

分类:其它 时间:2007-12-17 阅读:1595 关键词:意法半导体开发手机用VGA规格小型CMOS相机模块VS6524

上海格科微推出1/4英寸VGA CMOS图像传感器

格科微(Galaxycore)电子(上海)有限公司推出1/4英寸VGA图像传感器,具有尺寸小,功耗低,图像品质好,成本比较低等特点,能够广泛用于手机、PDA、电脑摄像头、玩具等消费类电子领域。作为大陆地区首家涉足CMOSIMAGESE...

分类:传感技术 时间:2007-12-17 阅读:2411 关键词:上海格科微推出1/4英寸VGA CMOS图像传感器

MagnaChip推出胶囊相机专用CMOS图像传感器

MagnaChipSemiconductor公司推出了一款专为胶囊相机设计的CMOS图像传感器。据介绍,这款新产品可为用户提供具备高质量图像的低功率胶囊相机技术。胶囊相机技术是一种用于替代内窥镜对人体消化道进行检查的技术。Magn...

分类:传感技术 时间:2007-12-17 阅读:1735 关键词:MagnaChip推出胶囊相机专用CMOS图像传感器

Torex推出可提供600mA输出的CMOS稳压器

TorexSemiconductor公司为其稳压器系列新增一款编号为XC6406的系列产品。XC6406系列稳压器采用CMOS工艺制造,属于高精度、低功耗、双正压稳压器,其组合双输出最大电流可达600mA。输出电压由工厂通过激光调节器设定...

分类:电源技术 时间:2007-12-17 阅读:1992 关键词:Torex推出可提供600mA输出的CMOS稳压器XC6406

OmniVision的200万CMOS图像传感器UXGA帧速率达15fps

OmniVisionTechnologies公司的高性能200万CMOS图像传感器——OV2630主要用在数码相机和视频/静止照相机产品中,其它应用还包括手机、视频会议设备、安全照相机、机械视像和生物测定领域。该器件采用1/3英寸透镜格式...

分类:传感技术 时间:2007-12-17 阅读:1838 关键词:OmniVision的200万CMOS图像传感器UXGA帧速率达15fpsOV2630

美光推出新型200万像素CMOS成像传感器

美光科技公司宣布,将推出面向全球手机用户的新型MT9D011低功耗200万像素CMOS成像传感器。随着消费者对手机、第三代智能电话等设备的高分辨率相机的要求,美光为此提供一种新款成像传感器,通过使用CMOS成像传感器数...

分类:传感技术 时间:2007-12-15 阅读:1930 关键词:美光推出新型200万像素CMOS成像传感器MT9D011

ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”

美国模拟器件公司(ADI)前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。此前,生产可承受30V...

分类:其它 时间:2007-12-15 阅读:1854 关键词:ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”AD8661AD7328AD5764

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