磁阻存储器件
磁阻RAM(MRAM)器件的核心工作结构是磁隧道结(MTJ)。 位状态被存储为与隧道势垒直接接触的两个磁性层的相对磁化方向,其中反平行方向(高状态)具有比平行方向(低状...
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