P沟道MOS管导通条件详解
一、核心导通原理P沟道MOS管(PMOS)的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS ...
日期:2025-06-25
MOS/CMOS集成电路N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点: 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、...
日期:2022-04-22