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Spansion与ISSI开发基于HyperBus接口的HyperRAM

全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司与先进存储解决方案领导厂商IntegratedSiliconSolution公司日前共同宣布,双方将联手开发基于SpansionHyperBus接口的HyperRAM产品,该产品可以极

分类:其它 时间:2014-10-16 阅读:1512 关键词:Spansion与ISSI开发基于HyperBus接口的HyperRAMISSI HyperBus接口 HyperRAM 接口

ISSI系列ISSI-IS61C1024-15J集成电路实用检测数据

ISSI-IS61C1024-15J是DVD影碟机专用集成电路,为32脚双列直插式塑料封装,在厦新8156型DVD影碟机电路[U5]上的正常工作电压和在路电阻典型检测数据如表所列,用MF14型三用表测得(电压测量DC挡,电阻测量×100Ω挡...

分类:元器件应用 时间:2008-06-19 阅读:1984 关键词:ISSI系列ISSI-IS61C1024-15J集成电路实用检测数据IS61C1024ISSI-IS61C1024-15J电路数据

ISSI针对DDR2模块应用推出电可擦除串行EEPROM

IntegratedSiliconSolution推出2KBit串行EEPROM专为DDR2内存模块应用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又一款高度集成的电可擦除的可编程存储器IC,专门用作DDR2内存模块,有高度的可靠性和优良的性能,

分类:其它 时间:2007-12-12 阅读:2001 关键词:ISSI针对DDR2模块应用推出电可擦除串行EEPROM

ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V,采用4M×32构成机制,刷新率为8K,传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量

分类:其它 时间:2007-12-12 阅读:2061 关键词:ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A

ISSI面向汽车市场推出全套串行EEPROM设备

IntegratedSiliconSolution(ISSI)公司日前宣布,面向汽车市场推出全套系列的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)设备。新产品系列覆盖的密度范围从1K至64K,支持I2C、Microwire与SPI接口协议。新设备由中芯半

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2007-12-04 阅读:1619 关键词:ISSI面向汽车市场推出全套串行EEPROM设备

ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V,采用4M×32构成机制,刷新率为8K,传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量

分类:其它 时间:2007-11-23 阅读:1466 关键词:ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A

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