FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:...
时间：2018-09-14 阅读：771 关键词：FPGA学习系列：内存128M的flash芯片设计flash芯片
意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称是这个市场上同一密度级别...
分类：其它 时间：2007-12-19 阅读：3597 关键词：意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128M25P128
意法半导体(ST)日前推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称是这个市场上同一密度...
分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：1837 关键词：意法新款128Mb串行闪存广泛应用于PC、消费类产品M25P128
意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称还是这个市场上同...
分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：2180 关键词：ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用M25P128
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量
分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：2061 关键词：ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRSDRAM器件的2x128Mx72双数据速率(DDR)SDRAM存储器模块.模块包括有36个128Mx
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-12-07 阅读：1428 关键词：W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音...
分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1668 关键词：ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存TSOP48
意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128MbNAND闪存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类电子...
分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1690 关键词：ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存TSOP48
Spansion发布128Mb MirrorBit SPI闪存
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天发布了具有业界最高性能的128MbSPI（串行外设接口）闪存产品。这一128MbMirrorBitSPI产品以90nm制程制造，能够帮助制造商利用SPI具有的更低的整体系统
分类：其它 时间：2007-11-29 阅读：1496 关键词：Spansion发布128Mb MirrorBit SPI闪存S25FL128P
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量
分类：其它 时间：2007-11-23 阅读：1466 关键词：ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A
Agilent公司发布适用于Infiniium54830系列数字存储示波器和混合信号示波器的超级深存储器选件，从而使该系列成为具有业内最深存储器的示波器。这一新选件把Agilent专利MegaZoom技术与达128M样点的存储器融于一体，实...
分类：其它 时间：2007-10-23 阅读：1559 关键词：Agilent示波器实现128M点的存储深度
摘???要：本文首先从应用角度阐述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块(LCM)的组成和工作原理，然后给出了用单片机对模块进行控制的硬件电路和软件编程方法，最后介绍了调试图形点阵式LCM时的...
分类：光电显示/LED照明 时间：2007-10-19 阅读：2403 关键词：HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块及其应用T6A39T6963CT6A40ATMEGA8535
产品型号:MC9S12DJ128MFUE工作电压(V):5Flash(字节):128KRAM(字节):8KEEPROM(字节):2定时器:8×16bitIC,OC,或PAI/O:最大91串行通讯:最大2SCI,2SPI,I2CA/D:最大2X8×1
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1637 关键词：MC9S12DJ128MFUE
摘 要：本文首先从应用角度阐述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块(LCM)的组成和工作原理，然后给出了用单片机对模块进行控制的硬件电路和软件编程方法，介绍了调试图形点阵式LCM时的相关注...
分类：光电显示/LED照明 时间：2006-09-29 阅读：3430 关键词：HY-240128M-201液晶显示模块及其应用62646A4080318080ATMEGA8535RESETT6963CT6A39T6A40
