保护电路应兼有反向电压保护与正向过压保护两种功能。XTR115的保护电路如图所示。反向电压保护电路由VD1～VD4组成，可防止因将环路电源的极性接反而损坏芯片。可选用1N4148型高速硅，其主要参数为URM=75V，Id=150mA，trr=4ns。采用桥式保护电路之后就不用再考虑环路电源的极性，因为无论Us的极性是否接反，它总能保证U+端接得是正电压。鉴于在任何时刻整流桥上总有两只二极管导通，因此在计算环路电压ULOOP时需扣除两只硅二极管的正向压降之和(约为1.4V)，有公式

过压保护电路采用一只1N4753A型，其稳定电压为36V，稳定电流为7.0mA。当环路电压过高时就被钳位到36V。实验证明，即使环路电压达到65V，XTR115也不会损坏。为了改善瞬态过压保护特性，还可采用Motorola公司生产的P6KE39A型瞬态电压抑制器(其英文缩写为TVS，亦称瞬变电压抑制二极管)来代替稳压管。P6KE39A的钳位电压UB=39V，钳位时间仅为1ns，其性能远优于齐纳稳压管。