基本MOSFET开关电路
出处:维库电子市场网 发布于:2023-06-28 16:15:40 | 654 次阅读
N 沟道增强型(常关)功率 MOSFET (eMOSFET) 具有正阈值电压和极高的输入阻抗,使其成为直接连接微控制器、PIC 和数字的理想器件。产生如图所示的正输出。
MOSFET 开关由栅极输入信号控制,由于 MOSFET 具有极高的输入(栅极)电阻,我们几乎可以无限制地将许多功率 MOSFET 并联在一起,直到达到所连接负载的功率处理能力。在 N 沟道增强型 MOSFET 中,器件截止 (Vgs = 0),沟道闭合,就像常开开关一样。当向栅极施加正偏压时,电流流过沟道。电流量取决于栅极偏置电压Vgs。换句话说,为了使 MOSFET 在饱和区运行,栅源电压必须足以维持所需的漏极,从而维持负载电流。
如前所述,n 沟道 eMOSFET 由栅极和源极之间施加的电压驱动,因此如图所示,在 MOSFET 栅极到源极结上添加一个齐纳,可以保护免受过高的正或负输入电压的影响,例如例如,这些是从饱和比较器输出生成的。钳位正栅极电压并充当传统二极管,当栅极电压达到 –0.7V 时开始导通,从而使栅极端子远离其反向击穿电压限制。
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