在电子设备的运行过程中，过电压是导致元件破坏的主要原因之一。从市场上流通系统的可靠性角度来看，为防止设备受到过压损伤，在电路中采取有效的防护措施至关重要，其中采用保护器件是常见且有效的手段。以下将详细介绍几种不同类型过电压的防护方法。

如何防止静电损坏

静电导致的 ESD（静电放电）损坏是过电压损坏的一种典型情况。当静电存在时，会在短时间内（1ns 以内）产生非常高的电压，因此需要使用 ESD 抑制器或 TVS（瞬态电压抑制）作为 ESD 防护器件。例如，Ultra Electronics 公司的 ESD 防护元件就是不错的选择。由于接口容易接触到外壳之外的金属，所以接口处的 ESD 防护尤为关键。
ADI 公司开发了增强抗静电的接口产品，部分产品符合 IEC61000 - 4 - 2 的 3 级标准，能在一定程度上提高设备对静电的抵抗能力。

噪声引起的过压击穿及防护

噪声引起的过压击穿通常是由电源噪声，或者设备之间、电路板之间通过或通信线传播的噪声所导致，进而损坏设备。在开关处于通 / 断状态或热插拔电路板、时，有可能产生过电压噪音。
为避免这类过压噪声的影响，可以利用的击穿电压进行过压钳位。以安森美半导体公司的齐纳二极管（BZX84C12L）为例，当施加 48V 的过压噪声时，可采用 LTspice 对其钳位特性进行仿真。仿真结果显示，齐纳二极管能将 48V 的过压噪声钳位到 12.5V，有效保护了电路元件。
感性负载或电感引起的过压及应对
在电源需要连接到长电缆的系统中，电缆的感性成分可能会使系统在通电时产生超过 1msec 的过压。在这种情况下，如果仅为降低噪声而采用齐纳二极管，可能会消耗高于预期的能量，超出其允许的功耗。
此时，需要在电源和电路中间放置高压电源 IC 或模块，为电路提供稳定的电源。不过，电源 IC 和模块需要具备输出稳定电压的调节功能，因此其可支持的工作电压范围有限。这类要求常见于照相机、传感器模块和工业车载设备等应用场景。
过压保护方案 “浪涌抑制器”
ADI 开发的浪涌抑制器可用于预防 1msec 以上的过压，这是 TVS 或齐纳二极管难以做到的。在了解 “浪涌抑制器” 之前，我们先来明确 “浪涌” 的含义。“浪涌” 有 “波涛” 或 “巨浪” 之意，这里指的是一种阻止 1msec 过压的解决方案。
根据 MIL - STD - 1275D 标准规定，浪涌需要响应 500msec 的过压。通过 LTC4364 电路图和波形等资料，我们可以更直观地了解浪涌抑制器的工作原理和效果。