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自动测试设备应用中 PhotoMOS 开关的替代方案

出处:网络整理 发布于:2025-05-29 15:57:35

在当今科技飞速发展的时代,人工智能(AI)应用呈现出蓬勃发展的态势,其对高性能内存,特别是高带宽内存(HBM)的需求也在持续增长。这一趋势使得内存芯片的设计变得愈发复杂,而自动测试设备(ATE)厂商作为验证内存芯片的关键环节,正面临着前所未有的压力,需要不断提升自身能力以适应这一需求。


传统上,在晶圆电源应用中,PhotoMOS? 凭借其良好的低电容乘电阻(CxR)特性得到了广泛应用。低 CxR 有助于减少信号失真,改善开关关断隔离度,同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。此外,PhotoMOS 开关的关断电压也较高。然而,它也存在一些局限性,主要体现在可靠性、可扩展性和导通速度方面。其中,导通速度较慢一直是客户不满的主要原因之一。


为了应对这些挑战,ADI 公司开发出了新型开关来取代存储器晶圆探针电源应用中的 PhotoMOS。ADI 公司的 CMOS 开关非常适合 ATE 厂商的内存晶圆探针电源测试。这些 CMOS 开关拥有快速导通和可扩展性等特性,能够提升测试并行处理能力,从而更全面、更快速地测试内存芯片。


在 ATE 设置中,开关起着至关重要的作用。它能够将多个被测器件(DUT)连接到同一个测量仪器(如参数测量单元 PMU),或者将它们从测量仪器上断开,以便执行测试流程。具体而言,开关使得 PMU 能够高效地向不同 DUT 施加特定电压,并检测这些 DUT 反馈的电流,从而简化了测试流程。在需要同时或依次测试多个 DUT 的情况下,开关的作用更加显著。通过使用开关,PMU 可以将电压分配到多个 DUT,并检测其电流,这不仅提高了测试效率,还大幅减少了每次测试之间重新配置测试装置的麻烦。



从开关架构来看,CMOS 开关和 PhotoMOS 开关存在明显差异。当开关断开时,对于 PhotoMOS 开关,关断电容(COFF)位于漏极输出引脚之间,且具有输入到输出电容(漏极电容),同时在其用于导通和关断输出 MOSFET 的发光(LED)级也存在输入电容;而对于 CMOS 开关,COFF 位于源极和漏极引脚之间,此外还有漏极对地电容(CD)和源极对地电容(CS),这些对地电容也是客户在使用 CMOS 开关时经常抱怨的问题。当任一开关使能时,输入信号便可传输至输出端,此时源极和漏极引脚之间存在导通电阻(RON)。了解这些架构细节,有助于我们更轻松地分析评估研究中的电容、RON 和开关行为等性能指标,从而为特定应用选择正确的开关类型。



为了更好地对开关进行定性和定量评估,我们可以考察其在系统设计应用中带来的附加值。以 ADG1412 这款四通道单刀单掷(SPST)CMOS 开关为例,它拥有出色的特性,包括高功率处理能力、快速响应时间、低导通电阻和低漏电流等。通过比较表 1 列出的重要指标,我们可以评估 CMOS 开关性能并打分,从而量化其相对于其他替代方案的优势。这有助于我们更深入地了解器件的信号切换效率,对于复杂或敏感的电子系统非常有帮助。


从开关的关断隔离曲线来看,输入信号在开关断开时受到高度抑制(100 kHz 时为 - 80 dB),未到达输出端。随着频率提高,PhotoMOS 的性能开始略高一筹,二者相差 - 10 dB。但对于图 1 所示的开关应用(直流(DC)切换),开关电容并不重要,重要的开关参数是低漏电流、高导通速度和低插入损耗。在插入损耗方面,图 4 中的插入损耗曲线显示,在 100 kHz 频率下,PhotoMOS 开关的插入损耗为 - 0.8 dB,而 CMOS 开关的插入损耗仅为 - 0.3 dB,这进一步证实了 CMOS 开关具有较低的 RON(1.5 Ω)。



在开关导通时间方面,PhotoMOS 开关存在明显的延迟,其导通速度较慢,这是由于 LED 输入级的输入电容以及内部电路将电流转换为驱动 MOSFET 栅极所需电压的过程中产生的延迟造成的。导通速度慢一直是客户不满的主要原因,而且会影响系统整体应用的速度和性能。相比之下,CMOS 开关的导通速度(100 ns)是 PhotoMOS 开关(200,000 ns)的 2000 倍,更能满足系统应用所需。



如果系统中使用的是 PhotoMOS 开关,并且遇到了测量精度不高、导通速度慢导致系统资源占用过多,以及难以提高通道密度等问题,那么升级到采用 CMOS 开关的方案将使开发变得非常简单。图 6 显示了 PhotoMOS 开关与 CMOS 开关的连接点对应关系,系统设计可以利用 CMOS 开关,以更低的成本实现更高的通道密度。



ADI 公司还提供了一系列能够提高通道密度的开关产品,如 ADG2412、ADG6412、ADGS2414D 等。这些开关具有与 ADG1412 类似的性能优势,导通电阻更低(低至 0.5 Ω),而且成本比 PhotoMOS 开关还低。它们提供串行外设接口(SPI)和并行接口,方便与控制处理器连接。


产品RON (Ω)开关配置1ku 标价 / 通道 ($)
ADG24120.5四通道 SPST非常有竞争力
ADG64120.5四通道 SPST非常有竞争力
ADGS2414D0.56SPI: 八通道 SPST非常有竞争力

关键词:PhotoMOS 开关  

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