基本知识

　　NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；为IO接口

　　NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没有NAND flash多；接口为RAM接口，可以直接运行程序

　　2、注意事项

　　2.1：在每次写操作之前需要进行擦除操作

　　2.1：使用前扫描坏块，不再使用

　　3、容量关系

　　1页 = 512 + 16字节

　　1块 = 512B * 32页

　　= （16K + 512）字节

　　1个器件 = 4096块 = 528M

　　不同的flash有不一样的页块大小，对于K9F2G08U0C来说

　　1页 = 2K

　　1块 = 128K = 64页

　　冗余区大小 = 512 * 16 byte

　　一个器件两层

　　一层 = 1GB = 8块

　　4、传输

　　4.1：传命令 检查状态

　　4.2：传地址 检查状态

　　4.3：传数据 检查状态

　　5、NAND flash interface（基本接口）

　　RnB : 就绪/忙 输出信号 \Busy

　　\nFRE: 读使能

　　\nFCE: 使能

　　CLE : 命令锁存使能

　　ALE : 地址锁存使能

　　\nFWE: 写使能

　　DATA[0~7]: 数据输入输出

　　扩展

　　\WP : 写保护

　　6、关于时间

　　寄存器NFCF的 TACLS = setup time

　　TWRPH0 = WE High to Busy

　　TWRPH1 = Hold time

　　7、关于位地址操作

　　由于本板子上的nand flash标写的是八位的，而技术手册上明确表示

　　8位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A11 A12-A19 A20-A27 A28

　　16位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A10 A11-A18 A19-A26 A27

　　但是在本板子上实验的结果是按16位的可以正确索引到地址，而按8位的反而不能找到地址了，而韦东山的程序也是按照16位的，并且还多出了A28，暂且在此认为是硬件的问题

　　8、NAND flash 的操作步骤

　　8.1、NFCONF寄存器的配置：主要是关于时序的问题，板子上集成的nand flash 模块可以发出特定的时序，只需要简单的配置一下时间，

　　具体可以参照NAND flash 对应的技术手册。

　　8.2、NFCONT寄存器的配置：主要关注的是使能ECC，关闭片选，类似于1602的配置方式，其中有些位是由外部的状态所决定的，

　　具体可以参照S3C2440技术手册的NAND flash控制章节。

　　8.3、复位：复位指令0xFF，需要先片选，等待操作成功，取消片选

　　指令的下达，有关操作可以参照NAND flash的控制步骤

　　Tips: 用define的时候一定要在后面加上括号

　　例如：#define S3C2440_NAND ((S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000)

　　形如：#define S3C2440_NAND (S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000 是错误的