英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ! SiC肖特基。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC是业界种类为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。

　　SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源(SMPS)的有源功率因数校正(CCM PFC)和与电机驱动器等其他AC/DC和DC/DC电源转换应用。

　　相对于第二代产品，英飞凌全新的SiC肖特基二极管的器件电容降低约40%，因此减少了开关损耗。例如，工作频率为250 kHz的1kW功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件(如电感和)，实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求，从而降低系统成本，提高可靠性。英飞凌期望将某些SMPS应用的系统成本降低20%。

　　英飞凌第三代thinQ! SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V(3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A)产品和采用 TO-220封装的1200V产品(2A、5A、8A、10A和 15 A)。